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학술저널
저자정보
표상우 (홍익대학교 전기정보제어공학과) 이민우 (홍익대학교 화학공학과) 손병천 (홍익대학교 화학공학과) 김영관 (홍익대학교 기초과학과)
저널정보
한국유화학회 한국유화학회지 한국응용과학기술학회지 제19권 제4호
발행연도
2002.1
수록면
335 - 338 (4page)

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A new process for polymeric gate insulator in field-effect transistors was proposed. Fourier transform infrared absorption spectra were measured in order to identify ODPA-ODA polyimide. Its breakdown field and electrical conductivity were measured. All-organic thin-film transistors with a stacked-inverted top-contact structure were fabricated to demonstrate that thermally evaporated polyimide films could be used as a gate insulator. As a result, the transistor performances with evaporated polyimide was similar with spin-coated polyimide. It seems that the mass-productive in-situ solution-free processes for all-organic thin-film transistors are possible by using the proposed method without vacuum breaking.

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