BCl 평판형 유도결합 플라즈마를 이용한 GaAs 건식식각

임완태; 백인규; 정필구; 이제원; 조관식; 이주인; 조국산

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자료유형: 학술저널

저자정보: 임완태 (인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소) 백인규 (인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소) 정필구 (인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소) 이제원 (인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소) 조관식 (인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소) 이주인 (한국표준과학 연구소 나노표면 그룹) 조국산 (㈜클라이오텍)

저널정보: 한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제13권 제4호

발행연도: 2003.1

수록면: 266 - 270 (5page)

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연구결과

이 논문의 연구 히스토리 (5)

2003

BCI₃ 기반 가스를 이용한 GaAs의 고밀도 평판형 유도결합 플라즈마 식각

임완태 , 백인규 , 유승열 외 5명 한국표면공학회지 2003.10 학술저널

BCl 평판형 유도결합 플라즈마를 이용한 GaAs 건식식각

임완태 , 백인규 , 정필구 외 4명 한국재료학회지 2003.01 학술저널

BCl및 BCl/Ar 고밀도 유도결합 플라즈마를 이용한 GaAs와 AlGaS 반도체 소자의 건식식각

임완태 , 백인규 , 이제원 외 2명 한국재료학회지 2003.01 학술저널

$BCl_3$ 와 $BCl_3/Ar$ 유도결합 플라즈마에 따른 GaAs 건식식각 비교

임완태 , 백인규 , 이제원 외 2명 한국재료학회 학술발표대회 2003.01 학술대회자료

BCl3/Ne 혼합가스를 이용한 III-V 반도체의 고밀도 유도결합 플라즈마 식각

임완태 , 조관식 , 백인규 외 1명 전기전자재료학회논문지 2003.01 학술저널

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We studied BCl$_3$ dry etching of GaAs in a planar inductively coupled plasma system. The investigated process parameters were planar ICP source power, chamber pressure, RIE chuck power and gas flow rate. The ICP source power was varied from 0 to 500 W. Chamber pressure, RIE chuck power and gas flow rate were controlled from 5 to 15 mTorr, 0 to 150 W and 10 to 40 sccm, respectively. We found that a process condition at 20 sccm $BCl_3$ 300 W ICP, 100 W RIE and 7.5 mTorr chamber pressure gave an excellent etch result. The etched GaAs feature depicted extremely smooth surface (RMS roughness < 1 nm), vertical sidewall, relatively fast etch rate (> $3000\AA$/min) and good selectivity to a photoresist (> 3 : 1). XPS study indicated a very clean surface of the material after dry etching of GaAs. We also noticed that our planar ICP source was successfully ignited both with and without RIE chuck power, which was generally not the case with a typical cylindrical ICP source, where assistance of RIE chuck power was required for turning on a plasma and maintaining it. It demonstrated that the planar ICP source could be a very versatile tool for advanced dry etching of damage-sensitive compound semiconductors.

#ICP #GaAs #Dry Etching #High Density Plasma

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