고속 인상 초크랄스키 실리콘 단결정에서 성장 결함 분포

박봉모; 서경호; 오현정; 이홍우; 유학도

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자료유형: 학술저널

저자정보: 박봉모 (LG실트론, 연구소) 서경호 (LG실트론, 연구소) 오현정 (LG실트론, 연구소) 이홍우 (LG실트론, 연구소) 유학도 (LG실트론, 연구소)

저널정보: 한국결정학회 한국결정학회지 한국결정학회지 제14권 제2호

발행연도: 2003.1

수록면: 84 - 92 (9page)

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고속인상은 후처리에 의하여 쉽게 제거될 수 있도록 성장 결함 분포를 작게 만들기 용이하다. 본 연구에서는, 1.0 mm/min 이상의 속도를 갖는 고속 인상 결정을 육성하였으며, 결정 내의 성장 결함 분포를 분석하였다. 최근의 Cz-Si 결정 성장에서 특정 온도구간에서의 냉각속도와 고액계면에서의 온도구배의 균일성 등이 성장 결함 형성에 대하여 인상속도보다 더 중요한 영향을 주는 것이 발견되었다. 따라서, 고속 인상 결정에서 냉각속도와 온도구배의 영향을 분석하였으며, 이를 실제 관찰된 결함 형성거동과 비교하였다. 이론적 고찰을 통하여 공동 결함 형성에 대한 유효인자(Ω)를 도출하였으며, 이로부터 공동 결함의 반경방향 분포 특성을 효과적으로 설명하였다.

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