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저자정보
구자룡 (홍익대학교 전기정보제어공학과) 이호식 (홍익대학교 유기 소재 및 정보 소자 연구센터) 권혁주 (홍익대학교 화학공학과) 손병청 (홍익대학교 화학공학과)
저널정보
한국유화학회 한국유화학회지 한국응용과학기술학회지 제20권 제2호
발행연도
2003.1
수록면
148 - 153 (6page)

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Electron transfer through an Langmuir-Blodgett(LB) monolayer film sandwiched between metal electrodes. We used an eicosanoic acid material and the material was very famous as a thin film insulating material. Eicosanoic acid monolayer was deposited by Langmuir-Blodgett(LB) technique and a subphase was a $CdCl_2$ solution as a 2${\times}10^{-4}$ mol/L. Also we used a bottom electrode as an Al/$Al_2O_3$ and a top electrode as a Al and Ti/Al. Here, the $Al_2O_3$ on the bottom electrode was deposited by thermal evaporation method. The $Al_2O_3$ layer was acted on a tunneling barrier and insulating layer in tunnel diode. It was found that the proper transfer surface pressure for film deposition was 25 mN/m and the limiting area per molecule was about 24 ${\AA}^2$/molecule. When the positive and negative bias applied to the molecular device, the behavior shows that a tunnel switching characteristics. This result were analyzed regarding various mechanisms.

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