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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
채정헌 (한국과학기술원 재료공학과) 이재열 (한국과학기술원 재료공학과) 강상원 (한국과학기술원 재료공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제8권 제1호
발행연도
1998.1
수록면
85 - 91 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

1998

마이크로 게이지를 이용한 다결정 샐리콘 박막의 열팽창 계수 측정
채정헌 ,  이재열 ,  강상원 한국재료학회지 1998.01 학술저널

1997

마이크로 게이지법을 이용한 Poly-Si 박막의 열팽창 계수 측정
채정헌 ,  이재열 ,  강상원 한국통신학회 학술대회논문집 1997.01 학술대회자료
마이크로 게이지법을 이용한 Poly-Si 박막의 열팽창 계수 측정 ( Measurement of thermal expansion coefficient of Poly-Si by microgauge method )
채정헌 ,  이재열 ,  강상원 한국통신학회 공개발표회 및 토론회 1997.01 학술대회자료

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인이 높은 농도로 도핑되어진 LPCVD 다결정 실리콘 박막의 열팽창 계수를 마이크로 게이지법을 이용하여 측정하였다. 기존의 박막의 열팽창 계수 측정 법에서는 박막이 기판에 증착되어진 상태에서 측정이 이루어지므로, 기판의 탄성계수와 열팽창계수를 미리 알고 있어야 한다. 이에 비해 마이크로 게이지법에서는 박막의 열\ulcorner창 계수를 도출하기 위하여 기판의 탄성계수 값과 열팽창 계수 값을 필요로 하지 않는다는 장점이 있다. 마이크로 게이지법에서는 전류를 가할 경우 줄 발열에 의해 발생한 마이크로 게이지에의 변위를 측정하고, 그 때 계산된 마이크로 게이지의 평균 온도의 관계에서 열팽창 계수를 계산한다. 다결정 실리콘 박막의 열팽창 계수는 2.9 x $10^{-6}$$^{\circ}C$로 측정되었으며, 이 값들의 표준편차는 0.24x$10^{-6}$$^{\circ}C$였다.

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