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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김정태 (Semiconductor Research and Development Lab) 김호정 (Semiconductor Research and Development Lab) 조윤성 (Semiconductor Division) 최수한 (Semiconductor Research and Development Lab)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제3권 제2호
발행연도
1993.1
수록면
193 - 196 (4page)

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A procedure for preparing cross-sectional specimens for transmission electron microscopy(TEM)by focused ion beam(FIB)milling of specific regions of semiconductor devices is outlined. This technique enables TEM specimens to be pripared at precisely preselected area. In-situ #W thin film deposition on the top surface of desired site is complementally used to secure the TEM specimens to be less wedge shaped, which is main shortcoming of previous FIB-assisted TEM sample preparation technique. This technique is quite useful for the TEM sample priparation for fault finding and the characterization of fabrication process associated with submicron contact technologies.

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