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자료유형
학술저널
저자정보
이창원 (연세대학교 금속공학과) 김계수 (연세대학교 금속공학과) 홍준표 (연세대학교 금속공학과)
저널정보
한국주조공학회 한국주조공학회지 (주조) 한국주조공학회지 제14권 제1호
발행연도
1994.1
수록면
28 - 34 (7page)

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Metallurgical-grade polycrystalline silicon was directionally solidified at growth rates of $0.2{\sim}1.0mm/min$ by using split type, reusable graphite molds which were coated with $Si_3N_4$ powder. The resultant grain sizes of the silicon ingots and the shapes of the solid/liquid(S/L) interfaces were investigated. X-ray diffraction was used to determine the preferred orientation in each of the silicon ingots. The impurity content of the silicon was analyzed and the resistivities of the ingots were measured. During the growth of an ingot, the shape of the S/L interface was concave to the silicon melt, and the resistivity decreased. The presence of Al which can be acting as a carrier, is thought to be the main factor causing such a decrease in resistivity. When a growth rate of 0.2㎜/min was used, the preferred orientation was found to be (111).

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