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Kwon, Jang-Yeon (Samsung Advanced Institute of Technology [SAIT]) Kim, Do-Young (Samsung Advanced Institute of Technology [SAIT]) Jung, Ji-Sim (Samsung Advanced Institute of Technology [SAIT]) Kim, Jong-Man (Samsung Advanced Institute of Technology [SAIT]) Lim, Hyuck (Samsung Advanced Institute of Technology [SAIT]) Park, Kyung-Bae (Samsung Advanced Institute of Technology [SAIT]) Cho, Hans-S (Samsung Advanced Institute of Technology [SAIT]) Zhang, Xiaoxin (Samsung Advanced Institute of Technology [SAIT]) Yin, Huaxiang (Samsung Advanced Institute of Technology [SAIT]) Xianyu, Wenxu (Samsung Advanced Institute of Technology [SAIT]) Noguchi, Takashi (Samsung Advanced Institute of Technology [SAIT], Sungkyunkwan University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
발행연도
2005.1
수록면
149 - 152 (4page)

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We present the characterization of poly-Si TFT fabricated below on Plastic Substrate below $170^{\circ}C$ on plastic substrate using excimer laser crystallization of Xe sputtered Si films. Gate insulator with a breakdown field exceeding 8 MV/cm was deposited by using inductively coupled plasma CVD. Finally, we successfully fabricate TFT with a electron field-effect mobility value greater than $290\;cm^2/Vsec$.

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