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자료유형
학술대회자료
저자정보
Park, Jae-Hoon (Dept. of Electrical, Information & Control Engineering, Hongik University) Kang, Sung-In (Dept. of Electrical, Information & Control Engineering, Hongik University) Jang, Seon-Pil (Dept. of Electrical, Information & Control Engineering, Hongik University) Kim, Hyun-Suck (Dept. of Electrical, Information & Control Engineering, Hongik University) Choi, Hyoung-Jin (Dept. of Polymer Science & Engineering, Inha University) Choi, Jong-Sun (Dept. of Electrical, Information & Control Engineering, Hongik University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
발행연도
2005.1
수록면
1,301 - 1,305 (5page)

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2013

Comparative Study on Interfacial Traps in Organic Thin-Film Transistors According to Deposition Methods of Organic Semiconductors
Pa ,  k ,  Jae-Hoon 외 2명 한국유화학회지 2013.01 학술저널

2006

Preparation of $PMMA-co-MMA/TiO_2$ Composite Film by Sol-Gel Process and Its Application to OTFTs as a Gate Insulator
Pa ,  k ,  Jae-Hoon 외 10명 한국정보디스플레이학회 International Meeting 2006.01 학술대회자료

2005

Characteristics of Pentacene Organic Thin-Film Transistors with $PVP-TiO_2$ as a Gate Insulator
Pa ,  k ,  Jae-Hoon 외 10명 한국정보디스플레이학회 International Meeting 2005.01 학술대회자료

2003

Effects of the Deposition Rate of Pentacene Film on the Electrical Characteristics of Organic Thin-film Transistors
Pa ,  k ,  Jae-Hoon 외 8명 한국정보디스플레이학회 International Meeting 2003.01 학술대회자료

초록· 키워드

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The performance of OTFT with $PVP-TiO_2$ composite, as a gate insulator, is reported, including the effect of surfactant for synthesizing the composite material. According to our investigation results, it was one of critical issues to prevent the aggregation of $PVP-TiO_2$ particles during the synthesis process. From this point of view, $PVP-TiO_2$ particles were treated using Tween80, as a surfactant, and we could reduce the aggregated $PVP-TiO_2$ clusters. As a result, the OTFT with the composite insulator showed the threshold voltage of about -8.3 V and the subthreshold slope of about 1.5 V/decade, which are the optimized properties compared to those of OTFTs with bare PVP, in this study. It is thought that these characteristic improvements are originated from the increase in the dielectric constant of the PVP-based insulator by compositing with high-k particles.

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