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저자정보
Choi, Sang-Hun (Department of Metallurgical Engineering, Yonsei University) Jeong, Soon-Moon (Department of Metallurgical Engineering, Yonsei University) Koo, Won-Hoe (Department of Metallurgical Engineering, Yonsei University) Baik, Hong-Koo (Department of Metallurgical Engineering, Yonsei University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
발행연도
2005.1
수록면
1,619 - 1,622 (4page)

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The ultra thin hole injection layer (HIL) was deposited on an indium-tin-oxide (ITO) anode by using an ion beam assisted d eposition (IBAD) for the fabrication of an polymeric electroluminescence device for the first time. The device with the HIL deposited by IBAD has higher external quantum efficiency than the device with the HIL by conventional thermal evaporation. It is found that the deposited HIL by IBAD has high surface coverage on ITO anode in a few nm regions because the HIL prepared has high adatom mobility by ion beam energy.

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