Design of Integrated a-Si:H Gate Driver Circuit with Low Noise for Mobile TFT-LCD

Lee, Yong-Hui; Park, Yong-Ju; Kwag, Jin-Oh; Kim, Hyung-Guel; Yi, Jun-Sin

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저자정보: Lee, Yong-Hui (Mobile Display Development Team, LCD Business, Samsung Electronics CO., LTD) Park, Yong-Ju (Mobile Display Development Team, LCD Business, Samsung Electronics CO., LTD) Kwag, Jin-Oh (Mobile Display Development Team, LCD Business, Samsung Electronics CO., LTD) Kim, Hyung-Guel (Mobile Display Development Team, LCD Business, Samsung Electronics CO., LTD) Yi, Jun-Sin (Sungkyunkwan University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호

발행연도: 2007.1

수록면: 822 - 824 (3page)

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This paper investigated a gate driver circuit with amorphous silicon for mobile TFT-LCD. In the conventional circuit, the fluctuation of the off-state voltage causes the fluctuation of gate line voltages in the panel and then image quality becomes worse. Newly designed gate driver circuit with dynamic switching inverter and carry out signal reduce the fluctuation of the off-state voltage because dynamic switching inverter is holding the off-state voltage and the delay of carry signal is reduced. The simulation results show that the proposed a-Si:H gate driver has low noise and high stability compared with the conventional one.

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