Reverse annealing of  $P^+/B^+$ ion shower doped poly-Si

Jin, Beop-Jong; Hong, Won-Eui; Ro, Jae-Sang

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: Jin, Beop-Jong (Department of Material Science and Engineering, Hongik University) Hong, Won-Eui (Department of Material Science and Engineering, Hongik University) Ro, Jae-Sang (Department of Material Science and Engineering, Hongik University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display

발행연도: 2006.1

수록면: 752 - 755 (4page)

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Reverse annealing was observed in $P^+/B^+$ ion shower doped poly-Si upon activation annealing. Phosphorous or boron was implanted by ion shower doping using a source gas mixture of $PH_3/H_2$ or $B_2H_6/H_2$. Activation annealing was conducted using a tube furnace in the temperature ranges from $350^{\circ}C$ to $650^{\circ}C$. Hall measurement revealed that reverse annealing begins at different annealing temperatures for poly-Si implanted with P and B, respectively. It was observed that reverse annealing starts at $550^{\circ}C$$ in $P^+$ ion shower doped poly-Si, while at $350^{\circ}C$ in the case of B-doping.

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Jin, Beop-Jong

소속기관 Dept. of Materials Science and Engineering, Hongik Univ.

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논문수 2 이용수 1

Hong, Won-Eui

소속기관 Department of Materials Science and Engineering, Hongik University

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 6 이용수 2

Ro, Jae-Sang

소속기관 Department of Materials Secience and Engineering, Hongik University

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 11 이용수 4

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