폴리 실리콘을 이용한 금속-반도체-금속 광 검출기의 열처리에 따른 전기적 특성

김경민; 김정열; 이유기; 최용선; 이재성; 이영기

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김경민 (위덕대학교 일반대학원 정보전자공학과) 김정열 (위덕대학교 그린에너지공학부) 이유기 (위덕대학교 그린에너지공학부) 최용선 (위덕대학교 일반대학원 정보전자공학과) 이재성 (위덕대학교 그린에너지공학부) 이영기 (위덕대학교 그린에너지공학부)

저널정보: 한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제28권 제4호

발행연도: 2018.1

수록면: 195 - 200 (6page)

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연구결과

이 논문의 연구 히스토리 (4)

2018

폴리 실리콘을 이용한 금속-반도체-금속 광 검출기의 열처리에 따른 전기적 특성

김경민 , 김정열 , 이유기 외 3명 한국재료학회지 2018.01 학술저널

2015

다결정 실리콘내 중수소 결합 형성 방법에 따른 다결정 실리콘의 광반응 특성

김경민 , 이유기 , 송근원 외 3명 한국진공학회 학술발표회초록집 2015.02 학술대회자료

2014

열처리에 따른 금속-반도체-금속 구조 광 검출기의 전기적 특성

김경민 , 이재성 대한전자공학회 학술대회 2014.11 학술대회자료

다결정 실리콘으로 제조된 금속-반도체-금속 구조를 갖는 광 검출기의 전기적 특성

김경민 , 김정열 , 이재성 대한전자공학회 학술대회 2014.06 학술대회자료

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This study investigated the effects of the post annealing temperatures on the electrical and interfacial properties of a metal-semiconductor-metal photodetector(MSM-PD) device. The interdigitate type MSM-PD devices had the structure Al(500 nm) / Ti(200 nm) / poly-Si(500 nm). Structural analyses of the MSM-PD devices were performed by employing X-ray diffraction(XRD), scanning electron microscopy(SEM) and transmission electron microscope(TEM). Electrical characteristics of the MSM-PD were also examined using current-voltage(I-V) measurements. The optimal post annealing condition for the Schottky contact of MSM-PD devices are $350^{\circ}C$-30minutes. However, as the annealing temperature and time are increased, electrical characteristics of MSM-PD device are degraded. Especially, for the annealing conditions of $400^{\circ}C$-180minutes and $500^{\circ}C$-30minutes, the I-V measurement itself was impossible. These results are closely related to the solid phase reactions at the interface of MSM-PD device, which result in the formation of intermetallic compounds such as $Al_3Ti$ and $Ti_7Al_5Si_{12}$.

#MSM-PD #intermetallic compounds #current-voltage #I-V) #post annealing #interfacial properties

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