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학술저널
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허성보 (울산대학교 첨단소재공학부) 천주용 (울산대학교 첨단소재공학부) 이영진 (울산대학교 첨단소재공학부) 이학민 (울산대학교 첨단소재공학부) 김대일 (울산대학교 첨단소재공학부)
저널정보
한국열처리공학회 열처리공학회지 열처리공학회지 제25권 제3호
발행연도
2012.1
수록면
134 - 137 (4page)

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We have considered the effect of electron irradiation energy of 300, 600 and 900 eV on structural, electrical and optical properties of $In_2O_3$ films prepared with RF magnetron sputtering. In this study, the thin film crystallization, optical transmittance and sheet resistance are dependent on the electron's irradiation energy. The electron irradiated $In_2O_3$ films at 900 eV are grown as a hexagonal wurtzite phase. The sheet resistance decreases with a increase in electron irradiation energy and $In_2O_3$ film irradiated at 900 eV shows the lowest sheet resistance of $110{\Omega}/{\Box}$. The optical transmittance of $In_2O_3$ films in a visible wave length region also depends on the electron irradiation energy. The film that at 900 eV shows the higher figure of merit than another films prepared in this study.

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