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학술저널
저자정보
문현주 (울산대학교 첨단소재공학부) 전재현 (동국실업 주식회사) 공태경 (울산대학교 첨단소재공학부) 김대일 (울산대학교 첨단소재공학부)
저널정보
한국열처리공학회 열처리공학회지 열처리공학회지 제28권 제6호
발행연도
2015.1
수록면
296 - 299 (4page)

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$In_2O_3/Ti$ bi-layered films were deposited on glass substrate at room temperature with radio frequency (RF) and direct current (DC) magnetron sputtering to consider the effect of Ti buffer layer on the electrical and optical properties. In a comparison of figure of merit, $In_2O_3$ 90 nm/Ti 10 nm thin films show the higher opto-electrical performance of $3.0{\times}10^{-4}{\Omega}^{-1}$ than that of the $In_2O_3$ single layer films ($2.6{\times}10^{-4}{\Omega}^{-1}$). From the observed results, it is supposed that the $In_2O_3\;90nm/TiO_2$ 10 nm bi-layered films may be an alternative candidate for transparent electrode in a transparent thin film transistor device.
#$In_2O_3$ #Ti #Magnetron sputtering #Surface roughness #Figure of merit

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