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습식제련 기술을 통한 Ga의 재활용을 위해 고결정성 GaN으로 구성되어 있는 LED 공정스크랩의 침출 거동을 연구하였다. 고결정성 GaN은 산성 및 염기성 조건에서 매우 안정하여 침출이 어려운 물질로 알려져 있다. 따라서, 본 연구에서는 볼밀링을 통해 원료와 $Na_2CO_3$를 1:1 비율로 섞은 후 관상로를 이용해 $1000-1200^{\circ}C$에서 열처리 하여 산화물로의 상변화를 유도하였다. 열처리 결과로써, $1100^{\circ}C$에서 GaN은 약 73 wt%의 Ga을 포함하는 산화물로 상변화 되었다. 이러한 열처리 샘플은 $100^{\circ}C$ 4 M HCl에서 96%의 높은 침출률을 나타냈다.
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D. A. Kramer / 2012 / Mineral Commodity Summary 2010: Gallium / United States Geological Survey
J. J. Coleman / 2012 / Advances in Semiconductor Lasers / Elsevier :150~151
I. Repins / 2008 / 19.9%-efficient ZnO/CdS/CuInGaSe2solar cell with 81.2% fill factor / Prog. Photovoltaics 16:235~239
J. S. Lee / 2010 / High-Performance a-IGZO TFT With Gate Dielectric Fabricated at Room Temperature / IEEE Electron Device Lett 31:225~227
J. K. Sheu / 2003 / White-light emission from near UV InGaN-GaN LED chip precoated with blue/green/red phosphors / IEEE Photonics Technol. Lett 15:18~20
J. J. Coleman / 2012 / Advances in Semiconductor Lasers / Elsevier :150~151
I. Repins / 2008 / 19.9%-efficient ZnO/CdS/CuInGaSe2solar cell with 81.2% fill factor / Prog. Photovoltaics 16:235~239
J. S. Lee / 2010 / High-Performance a-IGZO TFT With Gate Dielectric Fabricated at Room Temperature / IEEE Electron Device Lett 31:225~227
J. K. Sheu / 2003 / White-light emission from near UV InGaN-GaN LED chip precoated with blue/green/red phosphors / IEEE Photonics Technol. Lett 15:18~20
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