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본 논문은 고효율 고선형 특성을 얻기 위하여 신테라사가 제공한 디지털로 제어되는 아날로그 전치왜곡 칩을 이용한 도허티 전력증폭기를 설계하였다. 여기서 사용된 아날로그 전치왜곡기는 입력과 출력신호를 비교하여 출력의 혼변조 신호 특성을 개선하기 위하여 입력 신호의 크기와 위상을 조절함으로서 선형성을 개선시켰다. 또한, 도허티 전력증폭기를 설계하여 이용함으로써 고효율의 특성을 얻었다. 제작된 전력증폭기는 중심주파수 2150 MHz에서 평형증폭기와 비교하여 11% 이상의 효율 개선 효과와 출력 전력 100W 이하에서 인접채널 전력을 15 dB 이상 개선시켰다.
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S. C. Cripps / 2002 / Advanced Techniques in RF Power Amplifier Design / Artech House
Joel Vuolevi / 2003 / Distortion in RF power Amplifier / Artech House
Guillermo Gonzalez / 1997 / Microwave Transistor Amplifiers Analysis and Design / Prentice-Hall
Y. S. Lee / 2007 / A high-efficiency class-E GaN HEMT power amplifier for WCDMA applications / IEEE Microwave and Wireless Components Letters 17(8):622~624
Y.S. Lee / 2008 / A 1 GHz GaN HEMT based class E power amplifier with 80% efficiency / Microwave and Optical Technology Letters 50(11):2989~2992
Joel Vuolevi / 2003 / Distortion in RF power Amplifier / Artech House
Guillermo Gonzalez / 1997 / Microwave Transistor Amplifiers Analysis and Design / Prentice-Hall
Y. S. Lee / 2007 / A high-efficiency class-E GaN HEMT power amplifier for WCDMA applications / IEEE Microwave and Wireless Components Letters 17(8):622~624
Y.S. Lee / 2008 / A 1 GHz GaN HEMT based class E power amplifier with 80% efficiency / Microwave and Optical Technology Letters 50(11):2989~2992
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