대기압 아르곤 플라즈마 처리를 통한 IGZO TFT의 전기적 특성 향상 연구

정병준; 정준교; 박정현; 김유정; 이희덕; 최호석; 이가원

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자료유형: 학술저널

저자정보: 정병준 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) 정준교 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) 박정현 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) 김유정 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) 이희덕 (충남대학교 전자공학과) 최호석 (충남대학교 응용화학공학과) 이가원 (충남대학교 전자공학과)

저널정보: 한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제16권 제4호

발행연도: 2017.1

수록면: 59 - 62 (4page)

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In this paper, atmospheric pressure plasma treatment was proposed for high performance indium gallium zinc oxide thin film transistor (IGZO TFT). RF Ar plasma treatment is performed at room temperature under atmospheric pressure as a simple and cost effective channel surface treatment method. The experimental results show that field effect mobility can be enhanced by $2.51cm^2/V{\cdot}s$ from $1.69cm^2/V{\cdot}s$ to $4.20cm^2/V{\cdot}s$ compared with a conventional device without plasma treatment. From X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis, the increase of oxygen vacancies and decrease of metal-oxide bonding are observed, which suggests that the suggested atmospheric Ar plasma treatment is a cost-effective useful process method to control the IGZO TFT performance.

#IGZO #Thin Film Transistor #Atmospheric Plasma Treatment #Oxygen Vacancy

참고문헌 (13)

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E Fortunato / 2012 / Oxide semiconductor thin‐film transistors: a review of recent advances / Advanced materials 24(22):2945~2986

Park, J. S. / 2014 / Overview of electroceramic materials for oxide semiconductor thin film transistors / Journal of Electroceramics 32(2-3):117~140

Kim, M. / 2017 / The effect of a source-contacted light shield on the electrical characteristics of an LTPS TFT / Semiconductor Science and Technology

S.H. Chen / 2015 / High performance electric-double-layer amorphous IGZO thin-film transistors gated with hydrated bovine serum albumin protein / Organic Electronics 24:200~204

J.H. Kang / 2013 / Mobility enhancement in amorphous InGaZnO thin-film transistors by Ar plasma treatment / Appl Phys Lett 102:222103

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