다공성 실리콘의 산화로부터 얻은 다공성 실리카의 산화에 대한 분석

고영대

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자료유형: 학술저널

저자정보: 고영대 (OhSung)

저널정보: 조선대학교 기초과학연구원 조선자연과학논문집 조선자연과학논문집 제3권 제3호

발행연도: 2010.1

수록면: 153 - 156 (4page)

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Oxidation behaviors of porous silicon were investigated by the measurement of area of $SiO_2$ vibrational peaks in FT-IR spectra during thermal oxidation of porous silicon at corresponding temperatures. Visible photoluminescent porous silicon samples were obtained from an electrochemical etch of n-type silicon of resistivity between 1-10 ${\Omega}/cm$. The etching solution was prepared by adding an equal volume of pure ethanol to an aqueous solution of HF. The porous silicon was illuminated with a 300 W tungsten lamp for the duration of etch. Etching was carried out as a two-electrode galvanostatic procedure at applied current density of 200 $mA/cm^2$ for 5 min. The porosity of samples prepared was about 80%. After formation of porous silicon, the samples were thermally oxidized at $100^{\circ}C$, $200^{\circ}C$, $300^{\circ}C$, and $400^{\circ}C$, respectively. The growth rate of $SiO_2$ layer of porous silicon was investigated by using FT-IR spectroscopy. The effect of oxidation of porous silicon was presented.

#Oxidation #Porous #Silica #Silicon

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