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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Jang, Byeonghyeon (School of Materials Science and Engineering, Yeungnam University) Kim, Soo-Hyun (School of Materials Science and Engineering, Yeungnam University)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제26권 제9호
발행연도
2016.1
수록면
486 - 492 (7page)

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Tungsten (W) thin film was deposited at $400^{\circ}C$ using pulsed chemical vapor deposition (pulsed CVD); film was then evaluated as a nucleation layer for W-plug deposition at the contact, with an ultrahigh aspect ratio of about 14~15 (top opening diameter: 240~250 nm, bottom diameter: 98~100 nm) for dynamic random access memory. The deposition stage of pulsed CVD has four steps resulting in one deposition cycle: (1) Reaction of $WF_6$ with $SiH_4$. (2) Inert gas purge. (3) $SiH_4$ exposure without $WF_6$ supply. (4) Inert gas purge while conventional CVD consists of the continuous reaction of $WF_6$ and $SiH_4$. The pulsed CVD-W film showed better conformality at contacts compared to that of conventional CVD-W nucleation layer. It was found that resistivities of films deposited by pulsed CVD were closely related with the phases formed and with the microstructure, as characterized by the grain size. A lower contact resistance was obtained by using pulsed CVD-W film as a nucleation layer compared to that of the conventional CVD-W nucleation layer, even though the former has a higher resistivity (${\sim}100{\mu}{\Omega}-cm$) than that of the latter (${\sim}25{\mu}{\Omega}-cm$). The plan-view scanning electron microscopy images after focused ion beam milling showed that the lower contact resistance of the pulsed CVD-W based W-plug fill scheme was mainly due to its better plug filling capability.
#tungsten #W) #pulsed chemical vapor deposition #W-plug #nucleation layer #contact resistance

목차

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참고문헌 (17)

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J. E. J. Schmitz / 1992 / Chemical vapor deposition of tungsten and tungsten silicide / Noyes google schola E. K. Broadbent / 1984 / J. Electrochem. Soc 131:1427 google schola C. M. McConica / 1986 / J. Electrochem. Soc 133:2542 google schola E. J. McInerney / 1993 / J. Vac. Sci. Technol B11:734 google schola S. B. Herner / 1999 / Electrochem. Solid-State Lett 2:398 google schola

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