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자료유형
학술저널
저자정보
Choi, KwangHyun (Department of Electronics Engineering, Konkuk University) Sohn, YoungHa (Department of Electronics Engineering, Konkuk University) Moon, GeumJu (Department of Electronics Engineering, Konkuk University) Kim, YongSang (Department of Electrical & Electronic Engineering, Sungkyunkwan University) Jeon, Jae-Hong (School of Electronics, Telecommunications and Computer Engineering, Korea Aerospace University) Park, KeeChan (Department of Electronics Engineering, Konkuk University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 Journal of information display Journal of information display 제19권 제1호
발행연도
2018.1
수록면
45 - 51 (7page)

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The low-temperature polycrystalline silicon (LTPS) thin-film transistor (TFT) is the optimal device for the backplane of the organic light-emitting diode display. At the end the p-channel LTPS TFT fabrication, a charge-injection stress with a strong negative drain bias and a positive gate bias are applied to reduce the off-current by injecting electrons into the gate insulator near the drain. In this study, the charge density and the length of the charge-injection region in the gate insulator were estimated by comparing the measured TFT characteristics with the simulation models with various charge-injection lengths and charge densities. It was found that the effective length of the charge-injection region was $0.96{\mu}m$ and the charge density was $-3{\times}10^{12}/cm^2$ for the $2-{\mu}m$-channel-length device when $V_{GS}$ was +20 V and $V_{DS}$ was -10 V under the charge-injection stress condition. It was also found, based on the analysis of the electric field distribution under the bias stress condition, that the charge density and the length of the charge-injection region were invariant against the channel length variation. Therefore, the measured TFT characteristics also accorded closely with the simulation models for different channel lengths, such as 4 and $10{\mu}m$, when the same characteristic values of the charge-injection region were employed.
#LTPS #thin-film transistor #polycrystalline silicon #charge-injection #GIDL

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참고문헌 (5)

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K.R. Olasupo / 1996 / IEEE Trans. Electron Dev. 43:1218~1223 Crossref C.H. Kim / 1997 / J. Appl. Phys. 81:8084~8090 Crossref J.S. Park. J.Y. Park / 2008 / AM-FPD' 08 :P~27 google schola 2015 / Atlas User's Manual (Device simulation software) / SILVACO, Inc. google schola Dieter K. Schroder / 2005 / Semiconductor Material and Device Characterization, 3rd ed / Wiley :222~228 google schola

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