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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김상엽 (서울시립대학교) 송오성 (서울시립대학교)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제17권 제2호
발행연도
2007.1
수록면
73 - 80 (8page)

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2007

니켈 코발트 합금조성에 따른 복합실리사이드의 물성 연구
김상엽 ,  송오성 한국재료학회지 2007.01 학술저널

2005

게이트를 상정한 코발트니켈 복합 실리사이드의 물성과 미세구조
김상엽 ,  송오성 ,  정영순 한국재료학회 학술발표대회 2005.01 학술대회자료

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For the sub-65 nm CMOS process, it is necessary to develop a new silicide material and an accompanying process that allows the silicide to maintain a low sheet resistance and to have an enhanced thermal stability, thus providing for a wider process window. In this study, we have evaluated the property and unit process compatibility of newly proposed composite silicides. We fabricated composite silicide layers on single crystal silicon from $10nm-Ni_{1-x}Co_x/single-crystalline-Si(100),\;10nm-Ni_{1-x}Co_x/poly-crystalline-\;Si(100)$ wafers (x=0.2, 0.5, and 0.8) with the purpose of mimicking the silicides on source and drain actives and gates. Both the film structures were prepared by thermal evaporation and silicidized by rapid thermal annealing (RTA) from $700^{\circ}C\;to\;1100^{\circ}C$ for 40 seconds. The sheet resistance, cross-sectional microstructure, surface composition, were investigated using a four-point probe, a field emission scanning probe microscope, a field ion beam, an X-ray diffractometer, and an Auger electron depth profi1ing spectroscopy, respectively. Finally, our newly proposed composite silicides had a stable resistance up to $1100^{\circ}C$ and maintained it below $20{\Omega}/Sg$., while the conventional NiSi was limited to $700^{\circ}C$. All our results imply that the composite silicide made from NiCo alloy films may be a possible candidate for 65 nm-CMOS devices.
#Composite silicide #salicide #nickel silicide #cobalt silicide #silicide

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