시뮬레이션을 통한 TFET Synapse 소자의 Gate Overlap/Underlap과 채널 두께에 따른 특성변화 연구

Q: 이 논문에서 정의한 TFET Synapse 소자란 무엇인가?

TFET Synapse 소자는 기존 MOSFET 소자 대비 저전력 동작이 가능한 TFET의 장점을 활용하여, 신경 모방 시스템에서 시냅스 연결 강도를 저장하고 저전력 컴퓨팅을 구현할 수 있도록 설계된 소자이다. 특히 Band-to-Band tunneling에 의해 전류가 발생하는 특성으로 낮은 SS를 가지며, 뉴런 회로의 fan-in 문제를 해결한다.

Q: TFET 시냅스 소자의 성능에 게이트 overlap/underlap과 채널 두께는 어떤 영향을 미치는가?

연구 결과, 게이트 underlap은 소스-채널 접합의 전기장을 감소시켜 BTBT 확률을 낮추고 전류-전압 특성을 악화시킨다. 반면, 채널 두께가 얇아지면 포획 전하에 따른 문턱 전압 범위가 증가하지만 양극화 현상이 심화된다. 따라서 underlap을 피하고 최적화된 채널 두께 설계가 중요하다.

송승환; 유준수; 류동현; 장태진; 황성민; 박병국

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저자정보: 송승환 (서울대학교) 유준수 (서울대학교) 류동현 (서울대학교) 장태진 (서울대학교) 황성민 (서울대학교) 박병국 (서울대학교)

저널정보: 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2020년도 대한전자공학회 하계종합학술대회 논문집

발행연도: 2020.8

수록면: 134 - 136 (3page)

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