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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.8
- 수록면
- 516 - 522 (7page)
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Enhanced device performance of phototransistors with InP/In<SUB>0.48</SUB>Ga<SUB>0.52</SUB>P quantum dots (QDs) is demonstrated by incorporating InP QDs having type-II band alignment. The electronic structure of the InP/In<SUB>0.48</SUB>Ga<SUB>0.52</SUB>P QDs is designed by conducting calculation using 8-band k.p model with the strain Hamiltonian from the Valence Force Field (VFF) model. Two InP QDs with the same effective bandgap but different band alignments, i.e. Type I and Type II, obtained from the computational studies are incorporated in the base region of bipolar junction transistors made of In<SUB>0.48</SUB>Ga<SUB>0.52</SUB>P. The electrical performance of InP/In<SUB>0.48</SUB>Ga<SUB>0.52</SUB>P QD based phototransistors is evaluated with TCAD simulation. The results from the numerical study show that phototransistors with type II InP QDs provide higher current gain than the phototransistor with type I InP QDs resulting in higher collector current under same illumination conditions.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 구현
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌
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