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초록·키워드
Chemical Mechanical Polishing (CMP) is widely used for semiconductor chip manufacturing for several decades. However, due to the process complexity including the involvement of contact mechanics in different length scales, from nanometer sized abrasives, micrometer sized pad asperities, to the millimeter sized wafers, CMP yet remains as an unpredictable process and therefore heavily depends on empirical parameters [1]. In addition, the irregular top surface of polishing pads, which is one of the key components delivering the necessary polishing force to the abrasives for the nano-scale polishing, hinder our understanding of CMP process physics [2]. Here, we develop methods to fabricate micro-asperities with well-defined geometry and mechanical properties, and to quantitatively analyze the polishing performances at the single contact point of a pad asperity. We first fabricate polyurethane (PU) single asper ... 전체 초록 보기
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