Photoresponsivity Enhancement of AlGaN/GaN Heterojunction Phototransistor with ZnO Nanodot Coating Layer

Q: 이 논문에서 정의한 AlGaN/GaN 헤테로 접합 광 트랜지스터란 무엇인가?

AlGaN/GaN 이종 접합을 기반으로 설계된 광 검출 소자를 의미한다. 이 소자는 높은 광 응답성과 빠른 응답 속도를 특징으로 하며, 특히 ZnO 나노점 코팅층과의 결합을 통해 암전류 감소 및 UV 검출 성능 향상을 도모할 수 있는 구조적 특성을 가진다.

Q: ZnO 나노점 코팅층이 AlGaN/GaN 헤테로 접합 광 트랜지스터의 성능에 어떤 영향을 미치는가?

연구 결과, ZnO 나노점 코팅층은 소자의 암전류를 감소시키고 광 응답성을 크게 향상시킨다. 특히 300nm 파장에서 광 응답성이 $1.02 \times 10^{6}$ A/W에서 $1.76 \times 10^{6}$ A/W로 증가하여 UV 검출기 성능을 유의미하게 개선하는 것으로 나타났다.

Won-Ho Jang; June-Heang Choi; Chang-Yeol Han; Heesun Yang; Ho-Young Cha

doi:10.5573/JSTS.2021.21.1.080

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저자정보: Won-Ho Jang (Hongik University) June-Heang Choi (Hongik University) Chang-Yeol Han (Hongik University) Heesun Yang (Hongik University) Ho-Young Cha (Hongik University)

저널정보: 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.21 No.1

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The effects of a ZnO nanodot coating layer on the photoresponsivity characteristics of an AlGaN/GaN heterojunction phototransistor was investigated. The ZnO nanodot layer was introduced on the detection surface of the phototransistor using a simple spin-coating process. The ZnO nanodot layer not only reduced the dark current but also significantly increased the photoresponsivity. At the wavelength of 300 nm, the photoresponsivity increased from 1.02 × 10<SUP>6</SUP> to 1.76 × 10<SUP>6</SUP> A/W.

#Phototransistor #gallium nitride #ultraviolet detectors #ZnO nanodot

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