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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
조신호 (신라대학교)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제54권 제2호
발행연도
2021.4
수록면
96 - 101 (6page)

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NaNbO₃:Eu<SUP>3+</SUP> phosphor thin films were grown on quartz substrates by radio-frequency magnetron sputtering at a growth temperature of 100 ℃, with subsequent annealing at temperatures of 800, 900, and 1000 ℃. The effects of annealing temperature on the structural, morphological, and optical properties of the thin films were investigated. The NaNbO₃:Eu<SUP>3+</SUP> sputtering target was synthesized by a solid-state reaction of raw materials Na₂CO₃, Nb₂O₅, and Eu₂O₃. The X-ray diffraction patterns exhibited that the thin films had two mixed phases of NaNbO₃ and Eu₂O₃. Surface morphologies were investigated by using field emission-scanning electron microscopy and indicated that the grains of the thin film annealed at 1000 ℃ showed irregular shapes with an average size of approximately 300 ㎚. The excitation spectra of Eu<SUP>3+</SUP>-doped NaNbO₃ thin film consisted of a strong charge transfer band centered at 304 ㎚ in the range of 240–350 ㎚ and two weak peaks at 395 and 462 ㎚, respectively, resulting from the ⁷F₀→⁵L₆ and ⁷F0→⁵H₂ transitions of Eu<SUP>3+</SUP> ions. The emission spectra under excitation at 304 ㎚ exhibited an intense red band centered at 614 ㎚ and two weak bands at 592 and 681 ㎚. As the annealing temperature increased from 800 ℃ to 1000 ℃, the intensities of all the emission bands and the band gap energies gradually increased. These results indicate that the higher annealing temperature enhance the luminescent properties of NaNbO₃:Eu<SUP>3+</SUP> thin films.

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References

참고문헌 (16)

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