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Over the past decades, Ruddlesden-Popper (RP) phase oxides (A<sub>n+1</sub>B<sub>n</sub>O<sub>3n+1</sub>, n = 1, 2, ...) have been spotlighted with advantageous physical properties such as high-temperature superconductivity, giant magnetoresistance. <sup>[1-2]</sup> These emergent phenomena provide a platform for novel oxide-based electronic devices including spintronics application. However, high-quality RP-phase thin film growth has been disturbed by extended structural defects, so-called out-of-phase boundaries (OPBs).<sup>[3]</sup> OPB is a translational boundary between neighboring unit cells, shifted in a specific crystallographic direction. For instance, if RP-phase thin films grown on ABO<sub>3</sub> perovskite substrates, the structural mismatch between film and substrates induces a crystallographic shift in the c-axis direction, thus OPBs form at the film-substrate interface. Since OPB formation hampers the physical properties of RP-phase thin films, the suppression of the structural defects is highly required to carry out the high-performance RP-phase based functional devices.<sup>[4-5]</sup>
In this study, we suppressed OPB suppression in RP-phase oxide ... 전체 초록 보기

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