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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.8
- 수록면
- 56 - 61 (6page)
- DOI
- 10.5573/ieie.2021.58.8.56
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논문에서는 대부분의 회로에서 주로 사용하는 능동소자와 특별히 다른 반도체 제작 공정의 소자를 추가로 사용하지 않고 원래 발진기에서 사용한 능동소자와 같은 공정의 소자로 발진 주파수를 제어하기 위한 발진기 구조로서, 전원과 발진기의 공진부 사이에 공급하는 직류 전압과 전류를 제어하는 트랜지스터를 삽입하여 삽입된 트랜지스터의 게이트 전압을 변화하여 발진주파수를 제어하는 전압 제어 발진기 구조를 제안하였다. 제안된 발진기는 C-대역에서 동작하도록 0.5 μm AlGaAs/InGaAs PHEMT MMIC로 설계하여 제작한 후 그 발진 특성을 측정하여 분석하는 전반적인 과정을 기술하였다. 5V 의 직류 전압원을 사용하여 70 mA의 직류 전류로 6.85 GHz 의 발진 주파수에서 15 dBm 의 고출력 발진 전력을 측정하여 9 % 의 발진효율을 얻었다. 5 V 의 제어 전압 변화로 130 MHz 의 발진주파수를 변화 시킬 수 있었으며 PLL 로 주파수를 6.85 GHz 에 고정하고 위상잡음을 측정하여 중심주파수에서 1 MHz 벗어날 때 106 dBc/Hz 의 위상 잡음이 나타남을 5V 의 전원에 70 mA 의 전류로 측정하였다. 발진 주파수 신호와 제 2 차 고조파 신호 크기의 차이를 13.17 dB 로 측정하였다. 본 논문에서 제안한 전압 제어 발진기 회로구조를 이용하면 보통의 파운드리 공정으로 추가의 pn 접합 바렉터나 쇼트기 접합 바렉터 소자 공정 개발을 하지 않아도 초고주파 전압 제어 발진기의 구현이 가능하다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 회로 설계
Ⅲ. 회로 제작 및 측정 분석
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (9)
참고문헌 신청
Y. G. Kim, J. Y. Hwang and J. D. Yoon "A Fully Integrated ku-Band CMOS VCO with Wide Frequency Tuning," JIEIE, Vol. 51, no. 12, pp. 83-88, December 2014.
D. S. Kim, S. H. Chai, “Design of 3∼10GHz UWB Frequency Synthesizer for MBOA System”, IEEK Journal, Vol. 50, no. 2 pp. 134-139, February 2013.
M. C. Park, S. H. Jung, Y. S. Eo, “0.13㎛ CMOS Quadrature VCO for X-band Application”, IEEK Journal, Vol. 9, SD, no. 8 pp. 41-46, August 2012.
Y. G. Kim, H. K. Dam, J. W. Lee, J. H. Bae, J. Y. Hwang, H. J. Kim, P. Roblin, and C. W. Kim, “An X-Band Doppler Motion Sensor with a Two-Ports Oscillator," IEEE Sensors Journal, Vol. 18, Iss. 11, pp. 4503 - 4508, April 2018.
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D. S. Kim, S. H. Chai, “Design of 3∼10GHz UWB Frequency Synthesizer for MBOA System”, IEEK Journal, Vol. 50, no. 2 pp. 134-139, February 2013.
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