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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
최기헌 (한양대학교) 이화성 (한양대학교)
저널정보
한국접착및계면학회 접착 및 계면 접착 및 계면 제21권 제3호
발행연도
2020.1
수록면
86 - 92 (7page)

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본 연구에서 소스/드레인 전극이 위치하는 기판의 접촉영역과 두 전극사이 채널영역의 표면에너지를 선택적으로 다르게 제어하여 고분자 트랜지스터의 소자성능과 전하주입 특성에 미치는 영향을 확인하였다. 채널영역의 표면에너지를 낮게 유지하면서 접촉영역의 표면에너지를 높였을 때 고분자 트랜지스터의 전하이동도는 0.063 cm2/V?s, 접촉저항은 132.2 kΩ?cm, 그리고 문턱전압이하 스윙은 0.6 V/dec로 나타났으며, 이는 원래 소자에 비해 각각 2배와 30배 이상 개선된 결과이다. 채널길이에 따른 계면 트랩밀도를 분석한 결과, 접촉영역에서 선택적 표면처리에 의해 고분자반도체 분자의공액중첩 방향과 전하주입 방향이 일치되면서 전하트랩 밀도가 감소한 것이 성능향상의 주요한 원인으로 확인되었다. 본 연구에서 적용한 전극과 고분자 반도체의 접촉영역에 선택적 표면처리 방법은기존의 계면저항을 낮추는 다양한 공정과 함께 활용됨으로써 트랜지스터 성능향상을 최대화할 수 있는 가능성을 가진다.
#organic field-effect transistor #surface energy #charge injection #contact resistance #field-effect mobility

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E. Mohammadi / 2017 / Nat. Commun 8:16070 google schola A. F. Paterson / 2019 / Adv. Mater 31:1900871 google schola E. G. Bittle / 2016 / Nat. Commun 7:10908 google schola Y. Xu / 2020 / Adv. Funct. Mater 30:1904508 google schola M. Waldrip / 2020 / Adv. Funct. Mater 30:1904576 google schola

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