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학술저널
저자정보
정승우 (광운대학교) 변동욱 (광운대학교 전자재료공학과) 신명철 (광운대학교 전자재료공학과) Michael A. Schweitz1 (광운대학교 전자재료공학과 반도체나노소자연구실) 구상모 (광운대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제34권 제4호
발행연도
2021.1
수록면
242 - 245 (4page)

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In this work, we fabricated oxide on an n-type silicon substrate through local anodic oxidation (LAO) using atomic force microscopy (AFM). The resulting oxide thickness was measured and its correlation with load force, scan speed and applied voltage was analyzed. The surface oxide layer was stripped using a buffered oxide etch. Ohmic contacts were created by applying silver paste on the silicon substrate back face. LAO was performed at approximately 70% humidity. The oxide thickness increased with increasing the load force, the voltage, and reducing the scan speed. We confirmed that LAO/AFM can be used to create both lateral and, to some extent, vertical shapes and patterns, as previously shown in the literature.

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