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최근 페로브스카이트 반도체 물질에 대한 연구가 이루어지고 있고, 이 물질에 대한 표면 처리를 이용한 특성 평가는 후속 연구들의 기반이 된다. 따라서, 본 논문에서는 상압분위기에서 플라즈마가 형성되는 상압플라즈마 장비로 산소 플라즈마를 생성하여 공기중에 약 6개월정도 노출시킨 페로브스카이트 박막을 표면 처리한 결과에 대해 연구하였다. 6개월간 노출시킨 이유는 페로브스카이트 박막은 유기물과 무기물로 이루어져 있기 때문에 공기중에 노출되면, 산소나 수증기와의 반응을 통해 표면이 변화된다. 따라서, 이러한 변화를 원래 막으로의 복원이 가능한지 알아보기 위함이다. 산소플라즈마 분위기에서 1초부터 1200초까지 공정 시간을 변화시켜 가면서 표면 형상과 원소들 비율을 분석하였다. 이러한 결과는 페로브스카이트 막이 시간에 따라 변화가 일어나더라도 플라즈마 처리를 통해 이를 해결하는 방안을 제공한다.
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A. N. Thiessen / 2019 / Silicon Nanoparticles : Are They Crystalline from the Core to the Surface? / Chemistry of Materials 31(3):678~688
J. Talghader / 1995 / Thermal dependence of the refractive index of GaAs and AlAs measured using semiconductor multilayer optical cavities / Applied Physics Letters 66:335~337
G. Scappucci / 2020 / The germanium quantum information route / Nature Reviews Materials
G. Signorello / 2014 / Inducing a direct-to-pseudodirect bandgap transition in wurtzite GaAs nanowires with uniaxial stress / Nature Communications 5:3655
김경보 / 2020 / OHP 필름위에 증착된 AZO 반도체 박막의 광학 및 전기적인 특성 분석 / 융합정보논문지 10(9):28~34
J. Talghader / 1995 / Thermal dependence of the refractive index of GaAs and AlAs measured using semiconductor multilayer optical cavities / Applied Physics Letters 66:335~337
G. Scappucci / 2020 / The germanium quantum information route / Nature Reviews Materials
G. Signorello / 2014 / Inducing a direct-to-pseudodirect bandgap transition in wurtzite GaAs nanowires with uniaxial stress / Nature Communications 5:3655
김경보 / 2020 / OHP 필름위에 증착된 AZO 반도체 박막의 광학 및 전기적인 특성 분석 / 융합정보논문지 10(9):28~34
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