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논문 기본 정보

저자정보
(삼성전자) (LG 디스플레이) (성균관대학교) (성균관대학교) (성균관대학교)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제32권 제10호(통권 제293호)
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    초록·키워드

    본 논문은 고속 메모리 시스템 칩 패키지와 모듈 회로 기판에서 많이 사용되는 단일 종단 듀얼 스트립라인 구조의 신호 특성 변화를 분석하고, 여기에서 발생하는 누화 현상을 개선하기 위한 방법론과 구조 변형 방안을 제안하였다. 듀얼 스트립라인은 회로 기판의 물리적인 크기 축소와 원가 절감을 위하여 많이 사용되나, 브로드사이드 결합 선로의 경우, 상호 커패시턴스의 증가로 인하여 신호의 누화(crosstalk) 및 반사파가 증가하게 되어, 이로 인해 근단과 원단 모두에서 신호 무결성(signal integrity) 저하가 발생하게 된다. 본 논문에서는 균질 구조를 지닌 브로드사이드 결합 스트립라인에서의 자기 및 상호 커패시턴스 값에 따른 특성 변화를 분석하였고, 이것을 기반으로 신호 전달 품질 개선을 위한 비균질 매개인 공극(airgap) 도입 방안을 제안하였으며, 제안한 방법이 신호 전달 특성 향상에 기여함을 보였다. 또한 제안한 방법을 복수의 듀얼 스트립라인에 적용하였으며, 외층과 비아 등을 포함한 실제 회로 환경에 적용하여 근단과 원단 누화에 기인한 신호 왜곡을 줄일 수 있음을 보였다.

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      UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2021-427-002166284