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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
김정은 (경상국립대학교) 류상균 (한국교통대) 이재범 (한국교통대)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제70권 제12호
발행연도
2021.12
수록면
2,035 - 2,040 (6page)
DOI
10.5370/KIEE.2021.70.12.2035

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Wide-Band-Gap (WBG) switching semiconductor has been improved for higher efficiency and higher power density. Especially, SiC FET is the most attractive switching semiconductor for mid-voltage and high power applications, such as, railway transportation. Its desired features for high power converter are low on-state resistance, thermal stability, no reverse recovery, high switching speed, and so on. However, faster switching speed derives higher dv/dt of drain-source voltage, then this result in larger voltage ringing and worse switching noise. In this paper, parallel configuration of SiC FET and Si FET is proposed to suppress voltage ringing and minimize switching noise. Based on the characteristics of output capacitances of both SiC and Si FETs, the switching performances of single SiC FET and parallel connection of SiC/Si FETs are compared of voltage ringing and switching noise in LLC resonant converter for 10kW battery charging module of railway transportation.

목차

Abstract
1. 서론
2. SiC FET의 단일 적용 시 전압 스트레스
3. SiC FET와 Si FET의 D-S 전압에 따른 Coss 특성
4. 등가회로를 통한 전압 스트레스 분석
5. 시뮬레이션을 통한 검증
6. 결론
References

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