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학술저널
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대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.11 No.1
발행연도
2015.1
수록면
118 - 126 (9page)

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The charge carrier transport properties and conduction mechanism ofboron subphthalocyanine chloride (Cl-BsubPc) thin film basedjunction was analyzed by using current-voltage (I-V) characteristicsand dielectric spectroscopy technique. I-V characteristic of ITO/Cl-BsubPc/Al junction confirmes the domination of space charge limitedconduction (SCLC) in the high voltage region (7 - 9 V). The ACconductivity study indicates the presence of frequency inducedhopping conduction mechanism in Cl-BsubPc thin film with hoppingrelaxation time of 16.6 - 4.1 ms. The temperature dependence of ACconductivity suggests that conduction in the films dominated byhopping of carriers between the localized states at low temperatureand movements of thermally excited carriers from energy levelswithin the band gap at higher temperature. The activation energy ofthe charge carriers responsible for conduction was found to liebetween 0.35 - 0.40 eV.

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