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논문 기본 정보

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대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.21 No.6
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    We investigated the performance of NO₂ gas sensors based on AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) at high temperatures up to 500 °C. A 30-nm Pd catalyst layer as the gate of the transistor sensor was deposited by e-beam evaporator for NO₂ sensing. At 500 °C, the sensor showed high sensitivity (8.1%), fast response (6 s) and recovery times (7 s) under 1 ppm NO₂, thereby proving to be a great candidate for semiconductor sensors under extreme conditions.
    #Palladium #gallium nitride #nitrogen dioxide sensor #high electron mobility transistor #extreme temperature

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