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논문 기본 정보
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- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.11
- 수록면
- 112 - 115 (4page)
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As semiconductor products are advanced, the pattern line width constituting semiconductor devices is gradually becoming finer. Semiconductor dry etching equipment that makes fine patterns through etching also requires high technology. Among them, Quartz Ring, which is vulnerable to plasma among ICP (Inductively Coupled Plasma) type etching equipment parts, is gradually etched in accordance with RF operating time, which affects plasma sheath deformation, causing defects in the wafer edge area. Quartz Ring generates etching of parts through physical and chemical reactions in the etching reactor. This paper compared the difference in the etching amount of the ring depending on the difference in the quartz manufacturing method and confirmed the improvement effect of 28.5% of the facility operation time by using Ring with strong etch resistance to plasma.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Quartz 제작 방식에 따른 비교
Ⅲ. 실험 및 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌
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