펄스 플라즈마 기술을 통한 Si trench 의 aspect ratio dependent etching 개선에 대한 연구

김희주; 문룡; 홍종우; 장원준; 남궁수; 김동우; 염근영

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저자정보: 김희주 (성균관대학교) 문룡 (성균관대학교) 홍종우 (성균관대학교) 장원준 (성균관대학교) 남궁수 (성균관대학교) 김동우 (성균관대학교) 염근영 (성균관대학교)

저널정보: 한국표면공학회 한국표면공학회 학술발표회 초록집 2021년도 한국표면공학회 추계학술대회

발행연도: 2021.12

수록면: 103 - 103 (1page)

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반도체 device 초미세화로 인해 수 nm CD를 목표로 하는 공정이 요구되고 있다. 기존 식각 공정에서 활용되고 있는 continuous wave plasma (CW plasma)의 경우, 낮은 선택비, plasma induced damage 등을 야기하며, 특히 aspect ratio에 따라 Etch rate이 차이나는 aspect ratio dependent etching (ARDE)이 발생하며, 이러한 문제는 device 성능의 저하를 야기한다. 해당 문제들을 개선하기 위해 pulsed plasma 가 개발, 사용되고 있다.
본 연구에서는 pulsed plasma(synchronous pulse plasma, async ... 전체 초록 보기

#Pulsed plasma #lCP plasma #Silicon trench etching #Synchronously pulsed plasma #Asynchronously pulsed plasma #Aspect ratio dependent etching #ARDE

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