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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
박채은 (성균관대학교) 서문교 (성균관대학교)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제33권 제4호(통권 제299호)
발행연도
2022.4
수록면
312 - 317 (6page)

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본 논문에서는 40 nm CMOS 공정을 이용하여 140 GHz 대역의 4단 저잡음 증폭기를 설계하였다. 증폭기의 입력과 출력, 상호 단 간의 매칭은 최하위 2개의 금속층과 최상위 금속 배선층으로 구성된 마이크로스트립 라인으로 이루어졌다. 외부 전원의 내부 인덕턴스 영향을 최소화하기 위해 바이패스 커패시터를 이용한 AC 접지를 형성하였다. 이상적인 AC 접지의 경우에 근접한 이득 및 잡음 지수를 고려하여 커패시터의 개수를 선정하였다. D-대역 온웨이퍼 셋업을 이용한 측정 결과, 증폭기의 이득은 15.6 dB, 잡음 지수는 8.8 dB이고 18 mW의 전력을 소모한다. 패드를 포함한 회로의 전체 면적은 490 μm×430 μm이다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 설계
Ⅲ. 측정 결과
Ⅳ. 결론
References

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