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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
Donggu Lee (Kangwon National University) Kuduck Kwon (Kangwon National University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.22 No.3
발행연도
2022.6
수록면
161 - 167 (7page)
DOI
10.5573/JSTS.2022.22.3.161

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This paper presents a blocker-tolerant broadband balun-low-noise transconductance amplifier (LNTA) with a high-Q dual-band LC notch filter for 5G new radio (NR) sub-6GHz cellular applications. The proposed balun-LNTA employs a noise-cancelling 1:5 CG-CS balun-LNA topology with local feedback gm-boosting and modified current-bleeding techniques to support entire bands of sub-6 GHz 5G NR application with less than 5 dB NF performance and balanced output of balun-LNTA. The dual-band Q-boosted LC notch filter with a band-switchable differential inductor is also proposed to enhance blocker tolerance of the receiver by removing out-of-band blockers and strong transmitter leakage signals. Simulated in a 65-nm CMOS process, the designed balun-LNTA achieves a minimum noise figure of 2.38 dB, a maximum transconductance gain of 44 mS, an S11 of less than -10 dB over the frequency range of 50 MHz-6 GHz, an input-referred third-order intercept point of 1.82 dBm, and blocker rejection ratios of more than 15 dB. It consumes 5.9 mA from a nominal supply voltage of 1 V. Its active die area is 0.55 mm².

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. CIRCUIT DESIGN OF NOISE-CANCELLING BALUN-LNTA WITH DUAL-BAND LC NOTCH FILTER
III. SIMULATION RESULTS
IV. CONCLUSION
REFERENCES

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