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손승우 (한양대학교) 한재덕 (한양대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2022년도 대한전자공학회 하계종합학술대회 논문집
발행연도
2022.6
수록면
258 - 261 (4page)

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By stacked structure using MOSFET, short channel MOSFET is made into a long channel, improved current mirror is used in this work, in a 28㎚ CMOS process. In addition, we adjusted the width of the stacked MOSFET (Base Width : Stack Width = 1:1, 1:2, 1:4, 1:8) and analyzed three parameters(r<SUB>o</SUB>I<SUB>d</SUB>, I<SUB>d</SUB>/W<SUB>stack</SUB>, C<SUB>dd.stack</SUB>/I<SUB>d</SUB>) for find optimal performance at drain voltage is 300㎷.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 구현
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌

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