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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.10
- 수록면
- 57 - 61 (5page)
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항공기 및 우주 구조물에 갈륨비소 기판은 다양하게 적용된다. 본 연구에서 온도 제어기술을 활용하여 수치해석을 통해 4인치 이상의 대구경 갈륨비소 잉곳의 성장에 관한 기술을 제시하였다. 본 연구를 통해 온도 시뮬레이션 기술을 기반으로 다양한 온도 변화와 주위 환경의 변화에 따른 제작 기술을 확보하였다. 잉곳 기술 개발을 통하여 편차가 작은 특성 결과를 도출하여 향후 적용 가능성을 최대화 하였다.
목차
Abstract
초록
1. 서론
2. 갈륨비소 잉곳 성장 및 결과 분석
3. 결론
References
참고문헌 (6)
참고문헌 신청
H Weimann, J. amom, Th. Jung G. Muller, “Numerical Simulation of the Growth of 2" Diameter GaAs Crystal by the Vertical Gradient Freeze Technique,” Journal of Crystal Growth, Vol. 180, pp. 560-565, 1997.
B. Birkmann, M. Rasp, J. Stenzenberger, G. MuKller, “Growth of 3" and 4" gallium arsenide crystals by the vertical gradient freeze (VGF) method,” Journal of Crystal Growth, Vol. 211, pp. 157-162, 2000.
J. Amon, P. Berwian, G. Muller, “Computer-Assisted Growth of Low-EPD GaAs with 3" Diameter by the Vertical Gradient-Freeze Technique,” Journal of Crystal Growth, Vol. 198/199, pp. 361-366, 1999.
Christiane Frank-Rotsch, Natasha Dropka, Frank-Michael Kießling, and Peter Rudolph, “Semiconductor Crystal Growth under the Influence of Magnetic Fields,” Crystal Research and Technology, Vol. 55, pp. 1900115, 2020.
Hyunsu Jenung, Kiyoung Lee, “An Investigation of the Characteristics of Electron Diffusion Coefficients in GaAs by Noise Calculation Method,” Proceeding of Summer Conference on The Korean Institute of Communications and Information Sciences, pp. 14-18, 1993.
B. Birkmann, M. Rasp, J. Stenzenberger, G. MuKller, “Growth of 3" and 4" gallium arsenide crystals by the vertical gradient freeze (VGF) method,” Journal of Crystal Growth, Vol. 211, pp. 157-162, 2000.
J. Amon, P. Berwian, G. Muller, “Computer-Assisted Growth of Low-EPD GaAs with 3" Diameter by the Vertical Gradient-Freeze Technique,” Journal of Crystal Growth, Vol. 198/199, pp. 361-366, 1999.
Christiane Frank-Rotsch, Natasha Dropka, Frank-Michael Kießling, and Peter Rudolph, “Semiconductor Crystal Growth under the Influence of Magnetic Fields,” Crystal Research and Technology, Vol. 55, pp. 1900115, 2020.
Hyunsu Jenung, Kiyoung Lee, “An Investigation of the Characteristics of Electron Diffusion Coefficients in GaAs by Noise Calculation Method,” Proceeding of Summer Conference on The Korean Institute of Communications and Information Sciences, pp. 14-18, 1993.
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