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저자정보
박기천 (국립안동대학교) 서민기 (국립안동대학교) 최보규 (국립안동대학교) 이경백 (국립안동대학교) 신동희 (국립안동대학교)
저널정보
한국물리학회 새물리 새물리 제73권 제1호
발행연도
2023.1
수록면
18 - 22 (5page)

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화학 기상 증착법에 의해 Nb가 도핑된 WS₂ 결정립을 제작하였다. 여기서, Nb 원자의 도핑농도는 NbCls의 파우더의 양을 60 ㎎에서 75 ㎎까지 변화시켜 조절하였다. 도핑농도에 따른 WS₂의 특성을 구조적 및 전기적 실험을 통해 분석한 결과, 도핑농도가 증가함에 따라 WS₂의 p형 특성이 더욱 강해진다는 것을 라만 주파수, 광발광, 일함수의 변화로 확인하였다. 특히, 광발광 측정을 통해 도핑농도의 증가에 따라 에너지 띠를 자세히 측정한 결과, 초기 상태 WS₂ 광발광 피크는 627 ㎚ (1.98 eV)이였지만, 75 ㎎ Nb가 도핑된 시료에서는 712 ㎚ (1.74 eV)로 85 ㎚ 이동하였다. 이 결과 Nb가 WS₂의 p형 도핑 불순물로서 매우 우수하다는 것을 시사한다.
#WS₂ #Nb #p-type #Doping concentration #Work function #이황화 텅스텐 #나이오븀 #p형 #도핑농도 #일함수

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결론
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