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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
최미희 (한밭대학교 신소재공학과) 신윤지 (한국세라믹기술원) 조성호 (한국세라믹기술원 반도체소재센터) 정운현 (부산대학교) 정성민 (한국세라믹기술원) 배시영 (한국세라믹기술원)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제35권 제5호
발행연도
2022.9
수록면
504 - 508 (5page)

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Single crystal gallium oxide (Ga2O3) has been an emerging material for power semiconductor applications. However, the defect distribution of Ga2O3 substrates needs to be carefully characterized to improve crystal quality during crystal growth. We analyzed the type and the distribution of defects on commercial (-201) Ga2O3 substrates to get a basic standard prior to growing Ga2O3 crystals. Etch pit technique was employed to expose the type of defects on the Ga2O3 substrates. Synchrotron white beam X-ray topography was also utilized to observe the defect distribution by a nondestructive manner. We expect that the observation of defect distribution with three-dimensional geometry will also be useful for other crystal planes of Ga2O3 single crystals.
#Gallium oxide #Defect #Etch pit #Topography #Edge-defined Film-fed growth

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