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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.2
- 수록면
- 55 - 60 (6page)
이용수
초록· 키워드
실리콘 웨이퍼 상에 만들어지는 회로의 동작주파수가 마이크로웨이브 대역에서 밀리미터웨이브 대역까지 확대되고 있다. 실리콘 웨이퍼를 이용하여 회로를 구성하였을 때 동작 주파수와 높은 주파수의 고조파 성분을 고려하여야 한다. 따라서 실리콘 웨이퍼의 비유전율과 손실 탄젠트를 정확히 알고 있어야 회로 설계를 정확히 할 수 있다. 본 논문에서는 원통형 공동 공진기를 이용하여 실리콘 웨이퍼의 비유전율과 손실 탄젠트를 측정하였다. 실리콘 웨이퍼의 경우 쉽게 깨지는 특성이 있어, 기존의 비유전율과 손실 탄젠트 측정 방법으로는 측정이 불가능하다. 그러나 본 논문의 방법으로 측정하면 실리콘 웨이퍼를 깨트려서 원통형 공동 공진기에 삽입 후 측정이 가능하기 때문에 측정의 용이성이 있다. 원통형 공동 공진기 내부에 실리콘 웨이퍼 시편을 삽입한 경우와 비어있는 경우의 공진주파수 스캔 결과에서 가장 변화가 큰 모드를 선택하였다. 이 때의 시뮬레이터에서 실리콘 웨이퍼의 비유전율과 손실 탄젠트를 측정하였다. 측정 결과 비소(AS)가 도핑된 실리콘 웨이퍼의 경우는 비유전율이 16.5로 높은 편이며 손실 탄젠트 또한 0.5로 높았고, 비저항이 19인 실리콘 웨이퍼의 경우 비유전율이 12, 손실 탄젠트가 0.1로 측정되었다.
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#Silicon wafers
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#High-frequency harmonics
#Relative permittivity
#Loss tangent
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