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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.3
- 수록면
- 139 - 143 (5page)
- DOI
- https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.3.139
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N-type 결정질 실리콘 태양전지는 metal impurity와 높은 minority carrier lifetime에 의한 변환 효율의 증가의 뛰어난 가능성으로 이목을 받고있다. N-type 실리콘 태양전지의 주목에도 보론 확산 층과 N-type substrate 사이의 junction quality는 효율 증가에 중요한 역할을 한다. 본 논문에서는 고효율 N-type 실리콘 태양전지를 위한 보론 확산층의 현황과 전망 및 보론 확산 방법 (열적 확산, a-SiOx:B 막을 사용한 co-diffusion), Boron rich layer (BRL) 및 Boron silicate glass (BSG)의 분석 junction 특성에 대해 서술하였다. In-situ oxidation은 BRL을 제거하기 위해 사용되어지며 FTIR 분석을 통해 oxidation 처리에 따른 도핑 후 B-O peak 감소 및 BRL의 SiO2 phase로의 변환을 확인하였다. a-SiOx:B 막은 N-type 웨이퍼 위에 SiH4, B2H6, H2, CO2 가스를 통해 PECVD 장비로 증착하였으며 퍼니스로 확산시켰다. SiH4, B2H6가 높을수록 MCLT(Minority Carrier Lifetime)이 증가하였으며, a-SiOx:B 막이 제거됨에 따라 Si-O peak이 감소하며 B-H peak이 다소 감소하나 inactive된 보론 원자들의 수소에 의한 부동태화로 MCLT가 증가하였다. 본 논문에서는 N-type 결정질 태양전지를 위한 보론 에미터에 대해 연구하였다.
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A. U. Rehman / 2013 / Scientific World J. 13
Karsten Bothe / 2005 / Fundamental boron-oxygen-related carrier lifetime limit in mono- and multicrystalline silicon / Progress in Photovoltaics: Research and Applications 13(4):287~296
D. L. Meier / 2011 / IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS 1:123
Jian Sheng / 2016 / Development of a large area n-type PERT cell with high efficiency of 22% using industrially feasible technology / Solar Energy Materials and Solar Cells 152:59~64
Kyungsun Ryu / 2016 / Process development and comparison of various boron emitter technologies for high-efficiency (~21%) n-type silicon solar cells / Progress in Photovoltaics: Research and Applications 24(8):1109~1115
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