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Transparent ZnO (100 nm thick) and ZnO/Ti/ZnO (ZTZ) films were prepared with radio frequency (RF) and direct current (DC) magnetron sputtering on the glass substrate at room temperature. During the ZTZ film deposition, the thickness of the Ti interlayer was varied, such as 6, 9, 12, and 15 nm, while the thickness of ZnO films was kept at 50 nm to investigate the effect of the Ti interlayer on the crystallization and opto-electrical performance of the films.
From the XRD pattern, it is concluded that the 9 nm thick Ti interlayer showed some characteristic peaks of Ti (200) and (220), and the grain size of the ZnO (002) enlarged from 13.32 to 15.28 nm as Ti interlayer thickness increased. In an opto-electrical performance observation, ZnO single-layer films show a figure of merit of 1.4×10<SUP>-11</SUP> Ω<SUP>-1</SUP>, while ZTZ films with a 9 nm-thick Ti interlayer show a higher figure of merit of 2.0×10<SUP>-5</SUP> Ω<SUP>-1</SUP>.
From the XRD pattern, it is concluded that the 9 nm thick Ti interlayer showed some characteristic peaks of Ti (200) and (220), and the grain size of the ZnO (002) enlarged from 13.32 to 15.28 nm as Ti interlayer thickness increased. In an opto-electrical performance observation, ZnO single-layer films show a figure of merit of 1.4×10<SUP>-11</SUP> Ω<SUP>-1</SUP>, while ZTZ films with a 9 nm-thick Ti interlayer show a higher figure of merit of 2.0×10<SUP>-5</SUP> Ω<SUP>-1</SUP>.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References
참고문헌 (11)
참고문헌 신청
M. Yahya, M. R. Fadavieslam, The effects of argon plasma treatment on ITO properties and the performance of OLED devices, Optical Mater., 120 (2021) 111400.
D. Kim, Improved electrical and optical properties of GZO films with a thin TiO2 buffer layer deposited by RF magnetron sputtering, Ceram. Inter., 40 (2014) 1457-1460.
S. H. Choe, S. B. Heo, J. K. Jang, H. J. Kim, J, W. Choi, D. Kim, Effect of electron irradiation on the optical and electrical properties of TIO/Ag/TIO films, J. Korean Soc. Manuf. Technol. Eng., 30 (2021) 410-414.
S. H. Choe, J. K. Jang, H. J. Kim, J. W. Choi, S. B. Heo, Y. S. Kim, Y. M. Kong, D. Kim, Influence of Ag interlayer thickness on the optical, electrical and mechanical properties of Ti-doped In2O3/Ag/Ti-doped In2O3 multilayer flexible transparent conducti
W. Zhao, Q. Zhou, X. Zhang, X. Wu, A study on Ti-doped ZnO transparent conducting thin films fabricatedby pulsed laser deposition, Appl. Surf. Sci., 305 (2014) 481-486.
D. Kim, Improved electrical and optical properties of GZO films with a thin TiO2 buffer layer deposited by RF magnetron sputtering, Ceram. Inter., 40 (2014) 1457-1460.
S. H. Choe, S. B. Heo, J. K. Jang, H. J. Kim, J, W. Choi, D. Kim, Effect of electron irradiation on the optical and electrical properties of TIO/Ag/TIO films, J. Korean Soc. Manuf. Technol. Eng., 30 (2021) 410-414.
S. H. Choe, J. K. Jang, H. J. Kim, J. W. Choi, S. B. Heo, Y. S. Kim, Y. M. Kong, D. Kim, Influence of Ag interlayer thickness on the optical, electrical and mechanical properties of Ti-doped In2O3/Ag/Ti-doped In2O3 multilayer flexible transparent conducti
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