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초록·키워드
A fully-integrated, flipped voltage follower (FVF)-based low dropout regulator (LDO) utilizing an enhanced super source follower (ESSF) is presented. The proposed LDO employs a commongate (CG) stage in the ESSF to achieve a fullspectrum PSR of -10.2 dB by boosting the fast loop gain while supporting a wide load current of 150 mA at a low dropout voltage of 100 mV. By utilizing the ESSF-FVF structure with overshoot suppression scheme based on a class-AB structure, the proposed LDO achieves fast transient response at not only undershoot but also overshoot events with the undershoot and overshoot voltages of 16 mV and 21 mV, respectively. The prototype LDO designed in a 28-nm CMOS process achieves an excellent load regulation of 0.0067 mV/mA and a peak current efficiency of 99.5% at a 150-mA load with a quiescent current consumption of 740μA.
본문·목차
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