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저자정보
윤효원 (금오공과대학교) 김진훈 (금오공과대학교) 김채윤 (금오공과대학교) 박영은 (금오공과대학교) 김광재 (금오공과대학교) 김상엽 (금오공과대학교) 신강희 (금오공과대학교) 박수민 (금오공과대학교) 석오균 (금오공과대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2023년도 대한전자공학회 하계학술대회 논문집
발행연도
2023.6
수록면
170 - 173 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2023

고주파 성능지수 개선을 위한 매립형 산화막를 갖는 1.2 kV SiC MOSFET 설계
윤효원 ,  김진훈 ,  김채윤 외 4명 대한전기학회 학술대회 논문집 2023.07 학술대회자료
Buried oxide 구조 활용을 통한 1.2 kV SiC MOSFET의 Gate charge 특성 개선 연구
윤효원 ,  김진훈 ,  김채윤 외 6명 대한전자공학회 학술대회 2023.06 학술대회자료

2022

Tapered gate oxide 구조를 갖는 1.2 kV SiC MOSFET(TOX-MOSFET)의 전기적 특성 분석
윤효원 ,  김채윤 ,  박영은 외 2명 대한전기학회 학술대회 논문집 2022.10 학술대회자료
게이트 버퍼 산화막을 활용한 1.2 kV SiC MOSFET 구조 개선 연구
윤효원 ,  김채윤 ,  박영은 외 4명 대한전기학회 학술대회 논문집 2022.07 학술대회자료

초록· 키워드

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A 1.2 kV SiC MOSFET with buried oxide structure to improve gate charge characteristics was proposed. To verify the performance of 1.2 kV SiC MOSFET with buried oxide, we analyzed electrical characteristics of devices according to width (WBO) and depth of buried oxide (TBO). As a result, the QGD of 1.2 kV SiC MOSFET with optimized buried oxide having WBO of 0.2 μm and TBO of 0.1 μm was reduced by 32.8 % than that of 1.2 kV SiC MOSFET with planar MOS structure.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 시뮬레이션 방법
Ⅲ. 시뮬레이션 결과
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌

참고문헌 (0)

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게이트 버퍼 산화막을 활용한 1.2 kV SiC MOSFET 구조 개선 연구
윤효원 ,  김채윤 ,  박영은 외 4명 대한전기학회 학술대회 논문집 2022 .07
Si 증착 이후 형성된 게이트 산화막을 이용한 SiC MOSFET의 전기적 특성
조영훈 ,  강예환 ,  박창준 외 3명 전기전자학회논문지 2024 .03
정공 수명 변화에 따른 SiC PiN 다이오드의 전기적 특성 분석
김광재 ,  김상엽 ,  윤효원 외 2명 대한전기학회 학술대회 논문집 2023 .07
Cobalt를 이용한 p-type 4H-SiC에 대한 오믹접촉 특성 분석
감병민 ,  주성재 ,  강인호 외 1명 제어로봇시스템학회 합동학술대회 논문집 2009 .12

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