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초록·키워드
A 1.2 kV SiC MOSFET with buried oxide structure to improve gate charge characteristics was proposed. To verify the performance of 1.2 kV SiC MOSFET with buried oxide, we analyzed electrical characteristics of devices according to width (WBO) and depth of buried oxide (TBO). As a result, the QGD of 1.2 kV SiC MOSFET with optimized buried oxide having WBO of 0.2 μm and TBO of 0.1 μm was reduced by 32.8 % than that of 1.2 kV SiC MOSFET with planar MOS structure.
본문·목차
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