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초록·키워드
SiC MOSFET has excellent breakdown characteristics owing to high critical electric field. In addition, it is attracting attention as a power semiconductor for electric vehicle or satellite because it can miniaturize the power module due to its low on-resistance. Particularly in the space environment, the TID effects occur due to the influence of radiation, causing serious malfunctions of power devices. In this paper, SiC MOSFET and ntype MOSCAP were irradiated with proton to analyze effects of cosmic radiation. As a result of irradiating high-energy proton, a hole trap is created inside because of the TID effects. Because of the hole trap, the electrical characteristics such as threshold voltage, on-resistance, and breakdown voltage of the MOSFET were changed. In addition, as a result of extracting oxide characteristics by irradiating MOSCAP with the same conditions, it was verified that the fixed charge inside the oxide increased. Finally, the breakdown characteristic degradation mechanism was proved by edge termination simulation using TCAD. In this paper, the TID effects by irradiation is verified through experiments and simulations.
본문·목차
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